Daugiausiai atminties lustų pasaulyje pagaminanti Pietų Korėjos monstrė „Samsung“ ėmėsi tobulinti pačią „flash“ tipo atmintį.

Pademonstruotas pirmasis 512Mb PRAM tipo modulis. Duomenys į jį rašomi prieš tai jų atskiru procesu netrinant, na o tai, anot „Samsung“, reiškia iki 30 kartų didesnę spartą. Be to, PRAM tipo „flash“ atmintis turėtų būti ilgaamžiškesnė už dabar naudojamą NOR tipo.

Tokių rodiklių priežastis – dvigubai sumažintos duomenų ląstelės. Tai ne tik optimizavo panaudojimą, bet ir palengvino gamybą – „Samsung“ teigia galintys gaminti PRAM tipo „flash“ atmintį 20% greičiau nei įprastinę.

Deja, šio gėrio teks netrumpai luktelėti – pirmi produktai su PRAM tipo „flash“ atmintimi turėtų pasirodyti tik 2008 metais.

„Flash“ tipo atmintis naudojama USB raktuose, kai kuriuose MP3 grotuvuose ir kitoje elektronikoje. Duomenys išsaugoti tiesiog jos lustuose, o ne kietajame diske, tad nereikia saugotis sutrenkimų ir kitokio aplinkos poveikio.