„Intel“ ir „Micron“ pranešė sukūrę atminties technologiją, kuri yra iki penkių kartų spartesnė už dabar elektronikoje plačiai naudojamą „NAND flash“ tipo atmintį.

Bendromis jėgomis kompanijų tyrėjams pavyko sumažinti duomenų perdavimo „flash“ atmintyje trukmę bei optimizuoti darbinius procesus taip, kad iš esmės naudojant tą pačią lusto architektūrą galima didinti jo taktinį dažnį, atitinkamai – ir spartą.

Teigiama, kad naujos technologijos „flash“ atmintis galės pasiekti iki 200 MB/s duomenų skaitymo bei 100 MB/s rašymo greitį. Palyginimui – dabar naudojama „flash“ atmintis skaito informaciją iki 40 MB/s sparta, rašo apie 20 MB/s greičiu.

Apie tai, kada naujoji atmintis galėtų būti pradėta naudoti masinėje gamyboje kol kas nekalbama. Tačiau turint galvoje tai, kad „flash“ rinką šiuo metu labai kaitina auganti SSD tipo diskų paklausa, tikėtina gana greita kelionė iš laboratorijų į parduotuves.

„Flash“ tipo atminties lustai naudojami daug kur, pradedant USB atmintinėmis, baigiant mobiliaisiais telefonais, delniniais kompiuteriais ir kita elektronika, kurioje svarbu išsaugoti duomenis. Už senojo tipo magnetines laikmenas „flash“ atmintis pranašesnė sparta, atsparumu aplinkos poveikiui (nėra judančių dalių), mažesniu energijos suvartojimu.