Samsung kompanija oficialiai pranešė pradėsianti masinę 60 nm DDR2 operatyviosios atminties modulių gamybą šių metų pabaigoje. Naujieji atminties moduliai pagaminti pagal šį 60nm techporcesą mums turėtų pasiūlyti didesnę talpą, taktinį dažnį, bei sumažinti energijos sąnaudas.

Palyginus su dabartinais 80 nm lustais, 60 nm, 800 Mhz taktiniu dažniu dirbantys atminties „chip’ai“ apytiksliai turi 20% spartos prieaugį, kai tuo tarpu atmintis luste nuo 1 Gb šokteli iki 2 Gb. Pasak kompanijos naujieji „RAM’ai“ turėtų greitai atrasti savo nišą „High-End“ klasės operatyviosios atminties rinkoje. Naujieji 2Gb lustai turėtų būti naudojami FBIDIMM (Fully-buffered, dual inline memory modules), RDIMM (registered, dual inline memory modules) ir SODIMM (Small outline, dual inline memory modules)tipo moduliuose. Eneregijos sąnaudos, anot Samsung palyginus su 80nm, 8 GB moduliu siekia 30% sumažėjimą.